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李凯峰; 高强; 刘亲壮;
淮北师范大学 物理与电子信息学院 安徽 淮北 235000;
高温固相法; BaSn1-xZrxO3; 掺杂; 带隙; 理论计算;
机译:Zr取代对Bi0.9dy0.1Fe1-XZRXO3多重陶瓷制备的结构,磁性和光学性质的影响
机译:退火对未经传播的高温合成制备的未掺杂和Zr掺杂BA钛酸盐的结构和光学性质的影响
机译:溶胶凝胶法制备的铁电体Pb(Zr,Ti)O_3-SiO_2基玻璃陶瓷薄膜的掺杂效应和Zr / Ti控制
机译:Y {亚} 2O {u} 3掺杂Al {} 3 / ZrO {Sub} 3 / ZrO {Sub} 2的微观结构和增韧机制。SHS熔融生长过程制备的共晶复合陶瓷
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:通过ZR掺杂调制PR3 +掺杂Y2O3陶瓷的光学性质
机译:金属有机化学气相沉积法制备Inp掺杂超晶格的光学性质
机译:导电陶瓷材料SiO2 / ZrO2 / C-石墨的制备工艺和导电陶瓷材料SiO2 / ZrO2 / C-石墨的制备工艺
机译:陶瓷导电SiO2 / ZrO2 / C-石墨和陶瓷导电SiO2 / ZrO2 / C-石墨的制备工艺
机译:陶瓷电容器具有(Pb,La)(Zr,Ti)O.sub.3的含铋的银掺杂电介质
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