Nb2 O5掺杂对SnO2-Zn2 SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响

摘要

研究了 Nb 掺杂对 SnO2-Zn2 SnO4系压敏材料电学性质的影响，研究结果表明：当 Nb2 O5的含量（摩尔分数）从0．05％增加到0．80％时，压敏电阻的压敏电压从28 V/mm 增加到530 V/mm；对晶界势垒高度的分析表明：晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对 Nb 含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。