Ho掺杂对BiFeO_3介电、铁磁性及磁电耦合效应的影响

摘要

采用固相反应法制备出Bi1-xHoxFeO3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷样品,利用X射线衍射仪、精密阻抗分析仪和物性测量系统分别测试了样品的晶体结构、介电特性、磁滞回线并计算出了磁介电系数.结果表明:Ho掺杂量x≤0.1时,Bi1-xHoxFeO3样品呈现扭曲的三方钙钛矿结构,当x≥0.15时,Bi1-xHoxFeO3样品从三方晶系逐渐向正交晶系转变;当频率f=100Hz时,BFO-10%的介电常数是BiFeO3的3倍,且介电损耗相对减小.在f=10kHz,外加磁场为25 00Oe时,BiFeO3,BFO-10%的磁介电系数(MD)分别是-10.17%,-14.65%.在30kOe的磁场作用下,样品的磁滞回线随着掺杂量的增大而逐渐趋向饱和,其剩余磁化强度(Mr)从0.002 4emu/g(BFO)增加到0.116 7emu/g(BFO-20%),说明Ho掺杂显著增强了BFO的铁磁性.