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交换耦合膜,磁电阻效应装置，磁电阻效应磁头及其制作方法

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摘要

本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。

著录项

公开/公告号CN1141700C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-03-10

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN98122500.4
发明设计人川分康博;榊间博;里见三男;杉田康成;
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申请日1998-11-17
分类号G11B5/39;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人蹇炜
地址日本大阪
入库时间 2022-08-23 08:56:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-11

专利权有效期届满 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20040310 申请日:19981117

专利权的终止
2004-03-10

授权

授权
2004-03-10

授权

授权
1999-05-26

公开

公开
1999-05-26

公开

公开
1999-03-24

实质审查请求的生效

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1999-03-24

实质审查请求的生效

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