In掺杂SnS_(2)的电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法对本征和不同浓度In掺杂的SnS_(2)进行计算和分析。对能带结果分析,发现In杂质能级位于禁带中,In掺杂使SnS_(2)带隙变小,并随着掺杂浓度的增加带隙逐渐减小。对介电常数分析,发现In掺杂导致了SnS_(2)复介电常数实部和虚部的红移,明显降低了折射率,而且吸收和反射系数均表现出随着In掺杂浓度的升高而先降低后升高的趋势。研究结果表明In掺杂提高了SnS_(2)对低能量光信号的探测性能,为SnS_(2)光电器件的性能优化研究提供了理论依据。