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退火条件对注Mn GaAs结构的影响

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通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.

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来源
《河北工业大学学报》 |2007年第1期|42-45|共4页
作者
贺晓彬; 杨瑞霞;
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作者单位

河北工业大学,信息工程学院,天津,300130;

河北工业大学,信息工程学院,天津,300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
离子注入; 砷化镓; 磁性粒子; 原子力显微镜; 磁力显微镜; 二次离子质谱;

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