绿光LED有源区中极化自屏蔽效应的研究

摘要

设计了一种具有自屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE)的绿光LED.该器件主要是用沿极性面[0001]方向生长的InN组分渐变量子垒来替代传统的GaN量子垒,从而在量子垒的内部产生极化体电荷.该极化体电荷能够抵消由极化作用在异质结界面处产生的界面电荷,进而有效地屏蔽量子阱内所产生的内建极化电场.另外InN组分的提高,一定程度上降低了量子垒的势垒高度,促进了空穴注入有源区.因此,器件的光输出功率和外量子效率(EQE)均得到显著提升.