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杨建宋; 朱玮;
杭州师范学院物理系;
杭州师范学院设备与实验室管理处 浙江杭州310012;
浙江杭州310012;
白炽灯; 点燃; 冲击电流; 瞬间电压;
机译:E模式GaN-Hemts在反向电流导通应力下栅极阈值电压不稳定性和导通电阻劣化
机译:具有低迁移率双漂移层的超低导通电压和导通电阻垂直GaN-on-GaN肖特基功率二极管
机译:具有超低导通电压和导通电阻的近乎理想的垂直GaN肖特基势垒二极管
机译:基于SOI的双源隧道FET(DS-TFET)具有高导通电流和降低的导通电压
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:相位响应曲线偏斜对有或没有导通延迟的同步的影响
机译:压力下降特性与电缆刚度的电磁力关系下Nb3AL电缆导通导体的压降特性 -
机译:4H-碳化硅sIT的静态和导通开关特性达到200℃
机译:栅极导通电压供应单元,栅极导通电压供应方法,显示驱动模块和显示装置
机译:高导通电压放大器的拓扑电路,其导通和过程,电压和温度变化具有双导数和鲁棒性。
机译:栅极导通电压产生电路及包括该栅极导通电压产生电路的显示装置
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