STATIC CHARACTERISTICS; SILICON CARBIDES; TRANSISTORS; SWITCHING; ELECTRIC POTENTIAL; P-N JUNCTIONS; DEPLETION; MOBILITY; LOADS (FORCES);
机译:10 kV级碳化硅双极连接晶体管和达林顿静态和切换特性
机译:以Al2O3为栅极电介质的4H碳化硅金属-绝缘体-半导体结构的电学特性
机译:以Al2O3为栅极电介质的4H碳化硅金属-绝缘体-半导体结构的电学特性
机译:4H-碳化硅SIT到200 C的静态和导通切换特性
机译:4H碳化硅高压单极功率开关器件的开发
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:用于1200V / 200A全款电源模块的开启瞬态上侧和下侧开关VGS特性的建模与分析