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硅基异质集成InP毫米波通孔模型研究

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摘要

基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构,得到其等效电路模型,并提出了一种直接的模型参数提取方法.在0.1~67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路模型参数,模型仿真和测量数据能较好地拟合,验证了模型拓扑结构的准确性.

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来源
《杭州电子科技大学学报：自然科学版》 |2017年第1期|25-28|共4页
作者
陈晓艳; 孙玲玲; 刘军;
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作者单位

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类其他器件;
关键词
异质集成; 通孔模型; 参数提取; 毫米波;

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