AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

姜胜林; 周东祥; 龚树萍; 汪小红

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AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

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通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响.研究结果指出:BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响.

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来源
《功能材料》 |2002年第5期|532-533|共2页
作者
姜胜林; 周东祥; 龚树萍; 汪小红;
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作者单位

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.82;
关键词
AST液相; 低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体瓷; 显微结构及电性能;

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