首页> 中文会议>第四届中国功能材料及其应用学术会议 >BaTiO<,3>半导瓷晶界电学结构及其对电性能的影响

BaTiO<,3>半导瓷晶界电学结构及其对电性能的影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

对主受表面态能级分布与电性能关系进行了研究,指出钡缺位,受主杂质及吸附氧产生不同深度的受主态能级,提出了获得高性能BaTiO<,3>半导瓷材料的合理能级分布结构,为材料设计及工艺控制提供了理论指导.对材料NTCR效应研究结果指出,NTCR效应(T>Tc)与晶界的能级分布密切相关.

著录项

来源
《第四届中国功能材料及其应用学术会议》|2001年|913-915|共3页
会议地点厦门
作者
姜胜林; 周东祥; 汪小红; 龚树萍;
展开▼
作者单位

中国仪器仪表学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体陶瓷材料;
关键词
主受表面态能级分布; BaTiO,3半导瓷; NTCR效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响 [J] . 姜胜林 ,周东祥 ,龚树萍 . 功能材料 . 2002,第005期
2. BaTiO₃半导瓷晶界结构分析 [J] . 黄安荣 . 传感技术学报 . 1990,第003期
3. 双施主掺杂对BaTiO3基半导瓷结构和性能的影响 [J] . 周洪庆 . 电子元件与材料 . 1994,第002期
4. 掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究 [J] . 范福康 ,周洪庆 ,蒋曙生 . 南京化工学院学报 . 1990,第4期
5. 氧化物半导瓷中晶界势垒的起源 [J] . 吕文中 ,周东祥 . 华中理工大学学报 . 1994,第003期
6. SrTiO*v3*半导瓷的晶界组成和特性 [C] . 胡宗民 . 1987年中国电子学会电子元件学会第六届学术年会 . 1987
7. BaTiO半导瓷改性机理及高性能材料研究 [A] . 姜胜林 . 2001

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号