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Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究

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摘要

用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.

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来源
《功能材料》 |2004年第z1期|1154-1155,1159|共3页
作者
闵新民; 邢学玲; 朱磊;
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作者单位

武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;

武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;

武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;

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正文语种 chi
中图分类结构化学;
关键词
硅化镁; 掺杂; 电子结构; 热电性能;

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