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STO铁电薄膜晶化动力学研究

     

摘要

从经典的成核长大理论出发,建立了STO铁电薄膜的晶化动力学模型,根据模型模拟了热处理温度以及升温速率对STO铁电薄膜微结构的影响.模拟计算结果表明,在热处理温度较低的情况下,薄膜的晶粒较大,晶粒尺寸分布也较宽.随着晶化温度的升高,晶粒生长受到抑制,晶粒较小.当升温速率较小时,晶粒生长充分、晶粒较大,但晶粒大小分布不均匀.当升温速率较大时,薄膜晶粒大小分布均匀,晶粒较小.模拟计算结果与实际情况一致.

著录项

  • 来源
    《功能材料》|2006年第7期|1067-1069,1072|共4页
  • 作者

    张勤勇; 李言荣; 蒋书文;

  • 作者单位

    电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

    西华大学,材料学院,四川,成都,610039;

    电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

    电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜物理学;
  • 关键词

    STO; 铁电薄膜; 晶化动力学; 热处理;

  • 入库时间 2023-07-24 20:45:58

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