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吴清鑫; 陈光红; 于映; 罗仲梓;
苏州市职业大学,电子信息工程系,江苏,苏州,215104;
福州大学,物理与电信工程学院,福建,福州,350002;
厦门大学,萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005;
PECVD; 氮化硅; 聚酰亚胺; 残余应力; 射频MEMS开关;
机译:利用PECVD法低温形成栅极隔离层的高质量氮化硅膜的工艺。
机译:用PECVD法低温形成栅隔离层氮化硅薄膜的低温工艺
机译:低温PECVD法生长的非晶氮化硅膜的EPR谱
机译:关于工艺影响的PECVD氧化硅/氮化硅钝化系统的研究
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:pECVD氮化硅沉积法作为mIm电容器介质对Gaas HBT工艺的影响
机译:远程微波pECVD生长氮化硅的体积和表面钝化
机译:具有膜的传感器的生产包括通过LPCVD或PECVD工艺在硅衬底的表面上沉积氮化硅层,以及从衬底的底侧蚀刻凹槽。
机译:稳定PECVD氮化硅的退火工艺,可在MOS器件中用作栅极电介质
机译:顺序沉积-刻蚀处理法研究氧化硅和氮化硅的自上而下生长
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