Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响

摘要

采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.