• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《功能材料》 >Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2008年第5期|779-782|共4页
  • 作者

    邓荣斌; 王茺; 陈寒娴; 杨瑞东; 秦芳; 肖军; 杨宇;

  • 作者单位

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

    云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜物理学;
  • 关键词

    退火; 微晶硅薄膜; 钽; 太阳能电池;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号