法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/02 授权公告日:20160525 终止日期:20190402 申请日:20130402
专利权的终止
2016-05-25
授权
授权
2016-05-25
授权
授权
2014-02-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130402
实质审查的生效
2014-02-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130402
实质审查的生效
2014-01-01
公开
公开
2014-01-01
公开
公开
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机译: 使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译: 金属诱导的薄膜晶体管中非晶硅的晶化
机译: 金属诱导的薄膜晶体管中非晶硅的晶化