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Method of forming a resistive layer on a substrate for integrated circuits deposits a polycrystalline crystallite layer makes partly amorphous and anneals to give a different crystallite size

机译:在集成电路基板上形成电阻层的方法是沉积多晶微晶层,使其部分非晶化并退火,以得到不同的微晶尺寸

摘要

A method of forming a resistive layer on a substrate (10) comprises bringing a polycrystalline layer onto the substrate having crystallites of a given mean size, at least partly amorphizing this, and annealing (14) to give a different mean crystallite size to produce the resistive layer.
机译:一种在衬底上形成电阻层的方法(10),包括将多晶层置于具有给定平均尺寸的微晶的衬底上,使之至少部分非晶化,然后退火(14)以给出不同的平均微晶尺寸以生产出电阻层。

著录项

  • 公开/公告号DE10322588A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2003122588

  • 发明设计人 DAHL CLAUS;

    申请日2003-05-20

  • 分类号H01L21/822;H01L21/322;H01L21/324;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:26

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