AlCl₃-NH₃-N₂体系化学气相淀积AIN超细粒子 Ⅰ.AIN合成过程的机理

摘要

利用化学气相淀积（CVD）技术,在700～1000℃下合成了AlN超细粒子,研究了操作参数对粒子特性和AlN薄膜生长规律的影响。AlN超细粒子表面形态和反应温度、AlCl₃浓度等有关,其粒度及分布宽度随反应温度的升高、AlCl₃浓度减小和总流量增加而减小,AlN薄膜生长速率随反应温度的减小和总流量的增加而增大。在AlCl₃和NH₃的CVD反应中出现中间产物Al（NH₂）₃和Al₂（NH）₃,它们促使了粒子的形成和薄膜的生长。