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InSb薄膜热导率温度特性及传热机理

         

摘要

InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200 nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450 K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450 K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.

著录项

  • 来源
    《大连理工大学学报》 |2018年第5期|519-525|共7页
  • 作者单位

    大连理工大学 电子信息与电气工程学部,辽宁 大连 116024;

    辽宁省集成电路技术重点实验室,辽宁 大连 116024;

    大连理工大学 电子信息与电气工程学部,辽宁 大连 116024;

    辽宁省集成电路技术重点实验室,辽宁 大连 116024;

    中国科学院上海光学精密机械研究所 高密度光存储实验室,上海 201800;

    大连理工大学 电子信息与电气工程学部,辽宁 大连 116024;

    辽宁省集成电路技术重点实验室,辽宁 大连 116024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 传热学;
  • 关键词

    InSb薄膜; 晶态和非晶态; 热导率; 温度特性;

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