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谢强华;
不详;
InGaAs/GaAs; 应变层; 应力; CBED;
机译:基于多孔应变InGaAs / GaAs超晶格的缓冲层中的弹性应力松弛
机译:0.98μmInGaAs / GaAs / InGaP应变DOW激光器中InGaAsP隔离限制层的优势,可在高温下进行大功率操作
机译:通过Gaassb,IngaAs和Ingaassb应变减少层纵向InAs / GaAs量子点的光学性质
机译:InGaAs三元衬底上用于GaAs 1.3激光的高应变InGaAs量子阱和GaAs应变补偿层
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:使用扫描阴极发光显微镜研究应变层InGaAs / GaAs异质结构中的螺纹位错阻塞
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率
机译:具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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