六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究

王绍青; 刘全朴; 王元明

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六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究

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@@ 我们利用电子显微镜的高阶弱束暗场成像技术和高分辨电子显微术对在GaP基体上由分子束外延生长方法制备的六角GaN薄膜中的晶界、畴界、线型位错进行了详细系统的研究.研究中我们确定了GaN薄膜中存在的大量线型位错基本都是Burgers矢量为b=1/3<1120>的纯刃型位错并发现了存在于该半导体薄膜中的一种典型早期刃型位错结构.

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来源
《电子显微学报》 |1998年第5期|0|共1页
作者
王绍青; 刘全朴; 王元明;
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作者单位

中科院金属所固体原子像开放实验室;

英国剑桥大学材料系;

中科院金属所固体原子像开放实验室;

英国剑桥大学材料系;

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正文语种 chi
中图分类合成树脂与塑料工业;
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