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陈清; 张月; 陈新;
北京大学纳米器件物理与化学实验室和电子学系,北京,100871;
德克萨斯超导与先进材料中心,休斯顿大学,美国;
多层膜结构; 记忆特性; 电脉冲; 电阻; TEM; 氧化物; 高分辨电子显微术; 诱发; YBCO;
机译:表现出电脉冲感应电阻转换的金属氧化物膜的金属有机化学气相沉积
机译:ZnO / BaTiO3 / ZnO多层膜中的光调制电阻开关记忆行为
机译:自组装的3-氨丙基三甲氧基硅烷分子多层膜的电阻记忆效应
机译:原位透射电子显微镜(TEM)和电子能量损失光谱(EELS)通过原位透射电阻存储器在HFO_2氧化物电阻存储器中的开关机理研究
机译:掺杂碳膜和多层氧化物的合成与摩擦学。
机译:基于石墨烯氧化物和蛋白蛋白的多层结构的可调电阻切换特性的装置
机译:使用原位TEM的多层铂/钽氧化物多状态电阻切换特性的微观结构研究
机译:超薄磁性多层膜的原子尺度结构及其与电阻,巨磁电阻和自旋相关隧道的相关性
机译:过渡金属诱发的垂直非挥发性记忆元素和包含氧化铝膜和多晶金属氧化物通道层结晶的薄膜晶体管
机译:氧化物的晶体生长方法,氧化铈,氧化,氧化物的多层结构,场效应晶体管的制造方法,铁电非挥发性记忆体和铁电非挥发性记忆体的制造方法
机译:具有氧化钇-氧化铝复合氧化物膜,氧化钇-氧化铝复合氧化物膜,耐腐蚀构件,耐腐蚀膜的多层体及制造氧化钇-氧化铝复合氧化物膜的方法
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