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张福琼;
南京电子技术研究所,南京,210013;
宽禁带半导体; 碳化硅微波器件; T/R组件;
机译:半导体SiC晶体衬底及其器件应用前景
机译:半导体SiC晶体基板及其装置的应用前景
机译:稀磁半导体CeO2和铁磁铁氧体Fe3O4的互换核/壳组件,用于微波吸收
机译:SiC功率半导体器件在航天动力系统中的应用前景
机译:固体中的微波磁共振:第一部分。稀释磁性半导体(DMS)中的电子顺磁共振。第二部分磁铁矿球体中的磁维共振。
机译:SiC含量对火花等离子体烧结制备h-BN / SiC陶瓷的组织和微波加热速率的影响
机译:结构siC / siC组件中蠕变效应建模的进一步发展
机译:制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译:半导体组件在SiC半导体主体中具有二极管结构
机译:形成氧化膜的方法,半导体装置,制造半导体装置的方法和装置,氧化SiC基质,SiC-MOS半导体装置和SiC-MOS集成电路的方法,利用该方法制造SiC的方法以及用于制造该装置的装置MOS集成电路
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