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姜志全; 黄伟新;
中国科学院能量转换材料重点实验室 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室 化学物理系 合肥230026;
羰基钼; SiO2/Si(111); 相互作用; 高分辨电子能量损失谱;
机译:SI(111)表面上的钴覆盖物上的一氧化碳吸附在STM和XPS的表面上
机译:DFT加上u研究水清洁,有缺陷和氧覆盖的U3SI2 {001},{110}和{111}表面上的水的吸附和解离
机译:测定在Si(100),Si(111)和Si(110)表面上形成的天然氧化物上的气体吸附
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和((111))表面上的吸附:第一性原理研究
机译:清洁铝(111)表面上边界层润滑剂的吸附和分解途径以及铝/钢界面处的粘合剂金属转移的计算机建模:从头算研究
机译:使用曲面晶体对清洁的和一氧化碳化学吸附的Platinum(111)台阶表面进行X射线光发射分析
机译:在清洁和化学改性的si(111)表面上选择性吸附茂金属
机译:一氧化碳在清洁和氧气改性mo(110)表面上的吸附和解离
机译:MoSi 2粉末和相同粉末的MoSi 2粉末的生产方式在表面上形成氧化膜,生产
机译:使用微生物和Aeromonas SP的生物纯净培养物生产L-三苯甲基或衍生物的过程。 AST 108-1,AEROMONAS SP。 AST 111-4,KLEBSIELLA SP。 AST 148-1和KLEBSIELLA SP。 AST 151-7
机译:形成氧化膜的方法,半导体装置,制造半导体装置的方法和装置,氧化SiC基质,SiC-MOS半导体装置和SiC-MOS集成电路的方法,利用该方法制造SiC的方法以及用于制造该装置的装置MOS集成电路
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