激光对吸附在Si(111)7×7和Si(100)2×1表面上的C60的不同作用

摘要

本文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),在室温下研究沉积了约0.005ML的C60分子的Si(111)7×7和Si(100)2 × 1再构表面在波长为266nm的激光束轰击前后的表面形貌的变化.结果表明,在266nm的激光作用下,Si(111)7×7表面上的C60分子保持完好,表面缺陷明显增加,但并没有完全破坏7×7再构形貌;而Si(100)2×1表面上的C60分子却被打碎,样品表面变得杂乱无章.