用掺杂方法改变VO2多晶薄膜相变温度研究

谢建生; 李金华; 袁宁一; 陈汉松; 周懿

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用掺杂方法改变VO2多晶薄膜相变温度研究

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用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度.研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar.W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能.

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来源
《常州大学学报（自然科学版）》 |2005年第3期|1-5|共5页
作者
谢建生; 李金华; 袁宁一; 陈汉松; 周懿;
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作者单位

江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;

江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;

江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;

江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;

江苏工业学院,功能材料实验室,江苏,常州,213016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;凝聚状态与相变;薄膜技术;
关键词
二氧化钒薄膜; 掺杂改性; 相变;

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