铜离子注入（Ba1—xSrx）TiO3半导体陶瓷的交流阻抗特性

摘要

本文测量了铜离子注入（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ２半导体陶瓷样品在２５～１８０℃，１０Ｈｚ～１３ＭＨｚ之间的交流阻抗，根据等效电路模型与阻抗谱的变化，分析了注入样品的晶粒电阻，晶界电阻及其对温度的依从性以及样品的ＰＴＣＲ特性，研究表明注入剂量为６×１０＾１５ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应，此外，辅以ＸＰＳ和阻温特性测量分析注入铜离子的状态及样品的ＰＴＣＲ特性。