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新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析

     

摘要

To reduce power dissipation of a sigma-delta analog-to-digital converter, a new high-speed and low-power dissipation CMOS preamplifier-latch comparator, which is suitable for use in a sigma-delta analog-to-digital converter, was presented in CMOS 0.18 μm technology. The comparator consists of a reference voltage generation circuit, a preamplifier and a latch stage followed by a dynamic latch that operates as an output sampler. The output sampler circuit consists of a full transmission gate(TG) and two inverters. The use of this sampling stage results in the reduction in the power dissipation of the high-resolution comparator. Hspice simulations of the proposed circuit in a UMC 0.18 μm standard CMOS technology operating at supply voltage of 1.8 V was made. The results show that the resolution is 8 bit and the power dissipation is only 24.4 μW at 40 MHz. The power dissipation is about 1/3 of that of the similar comparators.%为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18 μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器.该比较器中输出采样器由传输门和2个反相器组成,可在较大程度上减少该比较器的功耗.电路采用标准UMC 0.18 μm工艺进行HSPICE模拟.研究结果表明:该比较器在1.8 V电源电压下,分辨率为8位,在40 MHz的工作频率下,功耗仅为24.4 μW,约为同类比较器功耗的1/3.

著录项

  • 来源
    《中南大学学报(自然科学版)》|2009年第5期|1354-1359|共6页
  • 作者单位

    西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

    湖南科技大学,信息与电气工程学院,湖南,湘潭,411201;

    西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

    西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

    西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

    西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应型;
  • 关键词

    预放大锁存比较器; sigma-delta; ADC; 输出采样器; CMOS工艺;

  • 入库时间 2023-07-25 11:18:08

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