低温超高速BiCMOS数字电路的延迟特性分析

摘要

在常规ＢｉＣＭＯＳ技术基础上，该文充分考虑了低温下ＭＯＳ电流驱动能力增强，双极器件增益与频率性能退化，ＰＮ结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响，并由此建立起统一的低温ＢｉＣＭＯＳ数字电路延迟时间的非线性解析分析模型，所得到的有关结论对低温超高速ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计有现实的指导意义。