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聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂的PZT厚膜制备与性能

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摘要

介绍了通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)制备PZT厚膜的方法.采用溶胶凝胶工艺,在700℃快速热处理4层即可获得厚度为1μm,表面平整没有裂纹的PZT厚膜.对PVP的作用机理进行分析,同时对厚膜的结构形貌和电性能进行研究测试.厚膜呈完全钙钛矿相多晶结构,而且具有良好的铁电性能.

著录项

来源
《空军工程大学学报（自然科学版）》|2005年第3期|82-84|共3页
作者
车俊; 姚熹; 史鹏;
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作者单位

西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049;

西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049;

西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
PZT; 厚膜; 铁电性能; PVP; 溶胶-凝胶;

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