VO2纳米线的CVD,水热制备及结构形貌表征

摘要

我们采用CVD法,生长出高展弦比的VO2纳米线,并对其形貌、结构进行了表征,讨论了其生长机制.CVD方法生长的VO2纳米线沿着[100]的方向生长,且粗细均匀,具有较高的长径比,表面缺陷少,形貌均一,为制备以之为基元的光电传感器件打下了良好的材料基础.同时对比采用水热方法合成的VO2纳米线,探讨了两种方法生成产物在形貌上的差别及对器件性能可能产生的影响.