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一种基于Au-In共晶的低温键合技术

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摘要

介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计，对铟凸点制备技术进行了研究，最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150—300℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300℃，0．3MPa压力下键合的剪切强度达到了5MPa．

著录项

来源
《仪表技术与传感器》 |2009年第B11期|P.205-207|共3页
作者
陈明园; 秦明; 李俊武;
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作者单位

东南大学MEMS教育部重点实验窒,江苏南京210096;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类自动化技术及设备;
关键词
锢凸点; Au-In键合; 倒装焊;

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