碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

摘要

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了研究.结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势.通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性.对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近.