锑化铟红外焦平面阵列制备技术

摘要

锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程.出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代.按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术.目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术.国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产.着重介绍了三种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计.