法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-18
保密专利的解密 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20091021
保密专利的解密
2013-05-15
保密专利专利权授予
保密专利专利权授予
机译: 制造多波长红外焦平面阵列探测器的方法
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种由锑化铟制成的单晶层的制造方法