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MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究

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@@ 1 引言rn近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.

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来源
《红外》 |2003年第5期|1-4,10|共5页
作者
徐非凡;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

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正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
MBE生长; HgCdTe材料; 碲镉汞化合物; 半导体材料; As掺杂; 砷掺杂; 退火; 分子束外延生长; 红外焦平面探测器;

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