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周航宇;
机译:逆积分变换法从电流噪声谱解析推导晶体管中的电荷弛豫时间分布
机译:通过选择性静电掺杂探讨WSE2 / WS2 / MOS2范围异质结光电晶体管的电荷平衡和噪声电流的重要性
机译:空间辐射损伤和温度对CCD和LDD MOS晶体管中噪声的影响
机译:薄栅氧化物MOS晶体管中因等离子体引起的损坏引起的漏电流
机译:MOS晶体管的深亚微米漏极电流和电荷模型。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:CCD22中的低噪声电荷注入
机译:电荷耦合器件(CCD)和电荷注入器件(CID)成像器中的辐射感应噪声。
机译:过压电荷泵的控制电路包括N沟道MOS晶体管,当过压达到设定水平时,N沟道MOS晶体管传导来自电流源的所有电流
机译:用于绝缘栅MOS晶体管的电荷注入电路和使用该电荷注入电路的计算装置
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