首页> 中文期刊> 《工业设计》 >半浮栅晶体管将引发芯片革命

半浮栅晶体管将引发芯片革命

         

摘要

最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功地研制出半浮栅晶体管(SFGT:Semi-Floating-Gate Transistor),有望让电子芯片的性能实现突破性的提升。该成果发表在2013年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号