抛光工艺对AlN多层基板表面状况影响的研究

摘要

本文针对光通讯高速传导用多层薄膜金属化基板，研究了化学机械抛光（CMP）中的工艺参数对AlN多层布线基板表面状况的影响。结果表明：当抛光液与水的浓度比为1：20，浓度为5％时，抛光时间在20min时，金属W通孔凸起高于基板表面不超过5um，粗糙度低于100nm，适用于后期的磁控溅射薄膜工艺。此外，通过对比单面研磨与双面研磨两种研磨对基板表面通孔高度及粗糙度的影响，发现单面研磨更适用于抛光前的基板研磨工艺。