瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究

摘要

AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成.针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等.通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板.对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求.