10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应

刘岩; 杨善潮; 林东生; 崔庆林; 陈伟; 龚建成; 王桂珍; 白小燕; 郭晓强

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10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应

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研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应.通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应.

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来源
《强激光与粒子束》 |2010年第9期|2186-2190|共5页
作者
刘岩; 杨善潮; 林东生; 崔庆林; 陈伟; 龚建成; 王桂珍; 白小燕; 郭晓强;
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作者单位

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

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正文语种 chi
中图分类 TN47TL99;
关键词
综合辐射效应; 中子和γ混合环境; CMOS数模转换器; 电离总剂量效应; 位移损伤;

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