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刘其军; 刘正堂; 冯丽萍;
西北工业大学材料学院;
西安710072;
Si(111); 电子结构; 表面能; 功函数; 第一性原理;
机译:六方金属的表面能和功函数的详细第一性原理研究
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机译:铂(111),钯(111)和薄膜钯氧化物的氧化和反应性的第一性原理研究
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:3C-SiC(111)/ Si(110)界面原子和电子结构的第一性原理研究
机译:si(111)-7 x 7:动力学的第一性原理研究
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译:半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
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