硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究

摘要

为了提高生产率、降低制造成本的需要,集成电路用硅片朝着大尺寸方向发展.故迫切需要提高硅片型面精度和微观表面的加工质量,同时又要求高效、低成本和无污染等的完成,高品质硅片的超精密加工技术成为发展微电子产业的关键技术.工业上对抛光过程的控制往往基于经验,与实验室研究有较大差别.本文作者通过实验手段对实际抛光中的表面形貌问题进行了研究,包括:抛光过程中硅片形貌及粗糙度的变化;硅溶胶粒径对粗糙度的影响;抛光液中碱浓度和抛光桔皮现象的联系等.