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GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的电子能带结构

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采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响．

著录项

来源
《复旦学报：自然科学版》 |1995年第3期|269-276|共8页
作者
徐至中;
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作者单位

复旦大学物理学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
应变外延层; 砷化镓; 半导体; 电子能带结构; 硅; 硒;

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