激光测距传感器芯片功能异常分析

摘要

半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件,涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作,而对于特定使用性能的芯片,分析方法更是千差万别.本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段,介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法,通过电性能测试及电路板的测试分析,缩小失效发生的功能区域,用I-U曲线测试确定失效的重现方法,最后使用光诱导电阻变化技术(OBIRCH)进行失效的定位,结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束(Plasma FIB)微切,用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌,确定失效原因为金属层连接通孔烧融,通孔熔断与造成芯片失效的机理一致,从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息.