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周国安; 靳永吉; 张志军; 詹阳;
中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊,101601;
CMP; 碟形缺陷; 铜; 选择性浆料; 抛光垫; 压力;
机译:铜后CMP清洗中铜和介电表面缺陷计数的工艺依赖性
机译:铜后CMP清洗中铜和电介质表面缺陷数的工艺依赖性
机译:CMP工艺中电流类型和密度对碟形现象的影响
机译:使用低pH值,自由债券,贵金债券化学降低铜CMP清洁的缺陷和所有权铜CMP清洁
机译:轨道抛光机中CMP无磨铜CMP的机械去除机理。
机译:缺铜猪的心血管研究。九。铜处理的缺陷猪的血管缺损修复。
机译:CMP浆料成分铜CMP铜钝化动力学的基本机制
机译:DHDECmp(二己基-N,N-二乙基氨基甲酰基 - 甲基膦酸酯)和CmpO(辛基苯基-N,N, - 二异丁基氨基甲酰基甲基膦氧化物)作为从硝酸废物流中回收act系元素的萃取剂的对比评价
机译:通过额外的浆料抛光减少铜的CMP缺陷
机译:减少铜CMP的缺陷/浆料残留的方法
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