铜互连CMP碟形缺陷及铜残留的研究

摘要

随着器件的特征尺寸越来越小，集成良越来越高，超大规模集成电路（ULSI）中设计的金属导线变细使得金属电阻增大，产生的热量增多，从而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟（RC Delay）也不断恶化，这些都大大影响了器件的性能。传统的铝互连工艺因不能满足器件要求也逐渐被铜互连工艺取代。