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几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状

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摘要

阐述了SiC、G aN、A lN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战.

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来源
《电子工业专用设备》 |2016年第8期|20-23|共4页
作者
杨静; 杨洪星;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.05;
关键词
碳化硅; 氮化镓; 宽禁带半导体; 器件;

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